В конце 2014г. резидент Кластера энергоэффективных технологий Фонда «Сколково» НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе на опытной технологической линии изготовил промышленные прототипы гетероструктурных солнечных модулей на кристаллическом кремнии по технологии HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer).

Полученные образцы показали эффективность преобразования в размере около 20% и хорошую воспроизводимость по всей площади реактора установки KAI 1200, на которой производился рост гетероструктурных солнечных элементов. Как сказано в официальном сообщении компании, с целью дальнейшего увеличения КПД запланированы исследовательские работы по отработке технологических процессов химической обработки поверхности пластин кристаллического кремния, режимов осаждения слоев аморфного кремния, изготовления контактной сетки.

Прототип HIT модуля (фото НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе)

«В последние годы наблюдается значительный прогресс в увеличении эффективности солнечных структур такого типа и в настоящее время для лабораторных образцов достиг значения 25,6 %, что уже превышает результаты для p-n структур на кристаллическом кремнии», - говорится в сообщении НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

«В настоящее время технология HIT является одним из наиболее актуальных векторов развития в солнечной энергетике, - комментирует руководитель направления «ВИЭ и новые материалы» Кластера энергоэффективных технологий Фонда «Сколково» Юрий Сибирский. – Лабораторная и научно-исследовательская база НТЦ, созданная при содействии Фонда «Сколково», позволяют решать амбициозные научно-технические задачи, в том числе по созданию гетероструктурных солнечных элементов на кремнии».