В Сколтехе прошла научная сессия «Материалы для современной микроэлектронной элементной базы». Инициаторами сессии стали Научный совет РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, АО «НИИМЭ», Сколтех и кластер передовых производственных технологий, ядерных и космических технологий Фонда «Сколково»
Свои доклады представили институты РАН, академические университеты и предприятия из Н. Новгорода, Новосибирска, Зеленограда, Долгопрудного, Санкт-Петербурга и Москвы. >>>
Открывая научную сессию, ректор Сколтеха, академик Александр Кулешов отметил: «Материаловедение является одним из стратегических направлений в научно-исследовательской деятельности Сколтеха, мы рады новым контактам, приглашаем коллег посетить наши лаборатории и надеемся, что в следующем году научная сессия по материалам для современной микроэлектронике пройдет уже на территории нового кампуса Сколковского института науки и технологии».
Слева направо: Николай Суетин, вице-президент Фонда "Сколково" , директор департамента науки и образования, Алексей Беляков, вице-президент Фонда "Сколково", руководитель кластера "Промтех" и Геннадий Красников, гендиректор "НИИМЭ".
Член-корр. РАН Лукичев Владимир Федорович, ФТИАН РАН «Материалы и структуры наноэлектроники в конце RoadMAP».
Д.т.н. Гамкрелидзе Сергей Анатольевич Институт СВЧ полупроводниковой электроники «Актуальные проблемы создания отечественных материалов для перспективной электронной базы».
Кржижановская Н.В., СПб Академический университет «Перспективные устройства нанофотоники на основе квантово – размерных структур и оптических микрорезонаторов».
Д.ф.-м.н. Попов Владимир Павлович, ИФП СО РАН «Многослойные структуры с диэлектриками (КНИ, КНС, резистивная память).
Д.ф.-м.н. Журавлев Константин Сергеевич, ИФП СО РАН «Гетероструктуры А3В5 на кремнии для СВЧ электроники» .
Д.ф. – м.н. Рощупкин Дмитрий Валентинович, ИПТМ РАН «Статус работ по получению, исследованию и применению 1D и 2D кристаллов в ИПТМ РАН".
Профессор Перебейнос В. СколТех «Наноэлектроника и оптоэлектроника на новых двумерных материалах».
К.ф.-м.н. Маркеев Андрей Михайлович МФТИ, Долгопрудный «Новые подходы к созданию сегнетоэлектрических материалов на основе оксида гафния» .
К.ф.-м.н. Зенкевич Андрей Владимирович МФТИ, Долгопрудный «Альтернативные концепции резистивной и сегнетоэлектрической памяти: статус и перспективы» .